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硅探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

硅探測(cè)器
? 室溫型探測(cè)器
? 使用范圍：200-1100nm
? 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：
? DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器
? DT-Si300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器

產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2025-01-22
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
訪問量：1647
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硅探測(cè)器

• 室溫型探測(cè)器

• 使用范圍：200-1100nm

• 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：

• DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器

• DT-Si300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器

技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱

DT-Si200 紫敏硅探測(cè)器

DT-Si300 藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測(cè)器

 

進(jìn)口紫外增強(qiáng)型

進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型

有效接收面積(mm2)

100(Φ11.28)

100(Φ11.28)

波長(zhǎng)使用范圍(nm)

200-1100

350-1100

峰值波長(zhǎng)(nm)，典型值

820nm

970nm

峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度(A/W)

0.52

0.60(>0.55)

典型波長(zhǎng)的響應(yīng)度(A/W)

0.14(>0.09)@254nm

0.20(>0.15)@410nm

響應(yīng)時(shí)間(μs)

5.9

2

工作溫度范圍(℃)

-10～+60

-10～+60

儲(chǔ)存溫度范圍(℃)

-20～+70

-20～+70

分流電阻RSH(MΩ)

10(>5)

(>10)

等效噪聲功率NEP(W/√Hz)

4.5×10-13

2.0×10-13

*大操作電流(mA@0V bias)

0.1

10.0

結(jié)電容(pf@0V bias)

4500

8800

信號(hào)輸出模式

電流

電流

輸出信號(hào)極性

正（P）

正（P）

 

硅探測(cè)器 

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